SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V SP004GBSFU266X02

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SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V - Silicon Power - Mémoire - visuel 1
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SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V SP004GBSFU266X02

Réf. SP004GBSFU266X02
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Conçue pour aider votre système à fonctionner plus rapidement et plus facilement, cette série DDR4 UDIMM offre une vitesse très rapide allant jusqu'aux 3200 MT/s. De plus, la technologie DDR4 est

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Empreinte carbone SP004GBSFU266X02

N.C.

Garantie

1 an
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4.65/5 sur 114 avis Les avis de nos clients
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Synthèse hello RSE

Découvrez cette mémoire DDR4 UDIMM conçue pour optimiser les performances de votre système avec une vitesse exceptionnelle pouvant atteindre 3200 MT/s. Profitez d'une réactivité et d'une efficacité énergétique accrues pour vos applications.

  • Vitesse : Jusqu'à 3200 MT/s pour un chargement rapide des applications.
  • Tension : Fonctionne à 1,2 V, réduisant la consommation d'énergie par rapport aux DDR3.
  • Capacité : Module de 4 Go, idéal pour améliorer les performances de votre ordinateur.
  • Compatibilité : S'intègre facilement dans une large gamme d'ordinateurs de bureau.
  • Dissipation thermique : Meilleure gestion de la chaleur pour un fonctionnement stable et une durabilité accrue.
  • Labels environnementaux : Certifié RoHS, garantissant l'absence de substances dangereuses.
  • Indice hello RSE : 2.1/10 - La note est en deçà de 6/10, ce qui ne permet pas d'obtenir d’extension de garantie gratuite. Pensez à des options plus durables.

Améliorez la performance de votre système avec cette DDR4 tout en gardant un œil sur la responsabilité environnementale.

Conseils achat durable

Le produit Mémoire Silicon Power, dont la référence est SP004GBSFU266X02, a obtenu la note de 2.1/10.

Dans le détail :
  • Selon la version 23,1 de la Base Carbone de l’Ademe datant du 18/09/2023, l’empreinte carbone moyenne de ce produit est de kg. Nous travaillons activement avec Silicon Power pour vous fournir une donnée plus précise. En attendant une prochaine mise à jour, cette donnée peut malgré tout être prise en compte pour vos rapports extra-financiers.
  • Indépendamment de son empreinte carbone, ce produit dispose des labels ci-dessous :

RoHS

La Directive européenne RoHS (Restriction of Hazardous Substances)1 vise à limiter l'utilisation de dix substances dangereuses dans les équipements électriques et électroniques.


La note de ce produit est inférieure à 6/10, vous ne pouvez donc pas bénéficier d’une extension gratuite de garantie. Si vous-même et/ou votre organisation êtes engagés dans une démarche d’achat responsable, nous vous invitons à regarder les produits dont la note est supérieure à 6. Vous trouverez également à la fin de la description marketing du produit, quelques suggestions de produits plus durables.

Description

Référence SP004GBSFU266X02

|

Marque Silicon Power

SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V Silicon Power - visuel 1 - hello RSE - Plus de performance

Plus de performance

Une augmentation de la mémoire est un remède facile pour un ordinateur lent, mais elle peut aussi augmenter la dépense énergétique. En plus d'une amélioration des performances, cette série DDR4 UDIMM permet une consommation d'énergie plus intelligente avec une tension inférieure de 1,2 V. Cela réduit la consommation d'énergie par rapport aux précédents modules DDR3 fonctionnant en 1,5 V. De plus, une plus grande dissipation de la chaleur permet à l'ordinateur de fonctionner à des températures plus basses pour une plus grande stabilité et une plus longue durée de vie du système.

SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V Silicon Power - visuel 1 - hello RSE - Compatibilité assurée

Compatibilité assurée

Vous vous demandez si votre nouveau module de mémoire fonctionnera bien dans votre nouvel ou dans votre ancien ordinateur? Cette série DDR4 UDIMM est compatible avec une large gamme d'ordinateurs de bureau. Grâce à l'adaptabilité de ce module de mémoire, vous éviterez les redémarrages aléatoires et les écrans bleus qui accompagnent un module de mémoire instable et incompatible.


Conçue pour aider votre système à fonctionner plus rapidement et plus facilement, cette série DDR4 UDIMM offre une vitesse très rapide allant jusqu'aux 3200 MT/s. De plus, la technologie DDR4 est jusqu'à deux fois plus rapide que son prédécesseur, la DDR3, offrant plus de bande passante et une meilleure efficacité énergétique. Une simple mise à niveau permet d'accélérer le temps de chargement des applications, d'augmenter la réactivité et de gérer facilement les programmes à forte densité de données.

Questions et réponses sur le SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V

Certification
CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS
Rétroéclairage
Non
Mémoire de tension
1.2 V
ECC
Non
Support de mémoire
260-pin SO-DIMM
composant pour
Ordinateur portable
Fréquence de la mémoire
2666 MHz
Type de mémoire interne
DDR4
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
1 x 4 Go
Mémoire interne
4 Go
Latence CAS
19
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)

Données logistiques SILICON POWER DDR4 4Go 2666MHz CL19 SO-DIMM 1.2V

Code du système harmonisé
84733020

Informations sur le vendeur

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Disponibilité Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible
Garantie
Données RSE  
Score hello RSE

Éco-indice 2.1/10

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Éco-indice 2.1/10

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Éco-indice 2.1/10

Éco-indice 2.1/10

Éco-indice 2.1/10

Éco-indice 2.1/10

Labels produits RoHS RoHS RoHS RoHS RoHS - - - RoHS
Impact carbone (kg CO₂)
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
Détails  
Mémoire interne

4 Go

4 Go

4 Go

8 Go

4 Go

4 Go

4 Go

4 Go

8 Go

Fréquence de la mémoire

2666 MHz

2400 MHz

2666 MHz

2666 MHz

3200 MHz

3200 MHz

2666 MHz

2666 MHz

2666 MHz

Capacité

-

-

-

-

-

-

-

-

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