SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC SP016GXLWU60AFSJ

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SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC SP016GXLWU60AFSJ

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Le module de mémoire Silicon Power XPOWER Pulse allie technologie et performances impressionnantes pour améliorer votre expérience informatique. Avec une capacité de stockage généreuse de 16 Go,

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Indice hello RSE

Score indice hello RSE Silicon Power SP016GXLWU60AFSJ : 2.1/10

Empreinte carbone SP016GXLWU60AFSJ

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1 an

Reprise ? Reconditionné ? Location ?

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Synthèse hello RSE

Le module de mémoire Silicon Power XPOWER Pulse allie des performances exceptionnelles à une conception avancée, idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer leur expérience informatique.

  • Capacité : 16 Go pour un multitâche fluide et rapide.
  • Vitesse : 3000 MHz avec latence CAS CL30 pour une réactivité optimale.
  • Support d'overclocking : Intel XMP 3.0 et AMD EXPO pour des performances personnalisées.
  • Conception efficace : PMIC intégré pour une meilleure gestion énergétique et fonctionnement stable.
  • Indice hello RSE : 2.1/10 - Note inférieure à 6, pas d'extension gratuite de garantie.

Avec sa fabrication de haute qualité, le module Silicon Power XPOWER Pulse est un choix solide pour les mises à niveau de mémoire, bien que sa note RSE suggère de considérer d'autres options plus durables.

Conseils achat durable

Le produit Mémoire Silicon Power, dont la référence est SP016GXLWU60AFSJ, a obtenu la note de 2.1/10.

Dans le détail :
  • Selon la version 23,1 de la Base Carbone de l’Ademe datant du 18/09/2023, l’empreinte carbone moyenne de ce produit est de kg. Nous travaillons activement avec Silicon Power pour vous fournir une donnée plus précise. En attendant une prochaine mise à jour, cette donnée peut malgré tout être prise en compte pour vos rapports extra-financiers.
  • Indépendamment de son empreinte carbone, ce produit dispose des labels ci-dessous :

La note de ce produit est inférieure à 6/10, vous ne pouvez donc pas bénéficier d’une extension gratuite de garantie. Si vous-même et/ou votre organisation êtes engagés dans une démarche d’achat responsable, nous vous invitons à regarder les produits dont la note est supérieure à 6. Vous trouverez également à la fin de la description marketing du produit, quelques suggestions de produits plus durables.

Description

Référence SP016GXLWU60AFSJ

|

Marque Silicon Power

SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC Silicon Power - visuel 1 - hello RSE - Des performances fiables

Des performances fiables

Avec une vitesse de mémoire de 3000 MHz et une latence CAS de CL30, ce module mémoire assure un traitement efficace des données et améliore la réactivité du système, ce qui est parfait pour les jeux et les activités multitâches.

SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC Silicon Power - visuel 1 - hello RSE - Intégration transparente

Intégration transparente

Le format DIMM 288 broches garantit la compatibilité avec une large gamme de systèmes, ce qui en fait un choix idéal pour les mises à niveau de mémoire dans les ordinateurs portables et de bureau.

SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC Silicon Power - visuel 1 - hello RSE - Gestion améliorée de la mémoire

Gestion améliorée de la mémoire

Intégrant la technologie ECC on-die, ce module RAM offre une meilleure intégrité des données en corrigeant les erreurs possibles, garantissant ainsi un fonctionnement fiable lors d'une utilisation intensive.

SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC Silicon Power - visuel 1 - hello RSE - Performances personnalisables

Performances personnalisables

Grâce à la prise en charge des profils Intel Extreme Memory Profiles (XMP 3.0) et AMD EXPO, les utilisateurs peuvent facilement ajuster les paramètres pour obtenir des performances optimales adaptées à leurs besoins individuels.


Le module de mémoire Silicon Power XPOWER Pulse allie technologie et performances impressionnantes pour améliorer votre expérience informatique. Avec une capacité de stockage généreuse de 16 Go, cette DDR5 SDRAM améliore les capacités multitâches et garantit un accès rapide aux données. Conçue avec une vitesse de mémoire de 3000 MHz et une latence CAS CL30, elle optimise la réactivité du système pour les applications exigeantes et les scénarios de jeu.Doté des profils Intel Extreme Memory Profiles (XMP 3.0) et de la prise en charge AMD EXPO, le module XPOWER Pulse permet un overclocking facile et des paramètres de performance personnalisés. Le circuit intégré de gestion de l'énergie (PMIC) intégré contribue à rationaliser l'efficacité énergétique tout en maintenant un fonctionnement stable. Avec un format DIMM 288 broches et la conformité à la spécification de mémoire PC5-24000, ce module est une option de mise à niveau polyvalente pour divers systèmes, garantissant la compatibilité et la fiabilité de vos besoins en mémoire.

Questions et réponses sur le SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC

Version d'Intel XMP (Extreme Memory Profile)
3.0
Module XMP d'Intel®
Oui
Mémoire de tension
1.35 V
ECC
Oui
composant pour
PC/serveur
Débit de transfert des données de mémoire
6000 MT/s
Fréquence de la mémoire
6000 MHz
Type de mémoire interne
DDR5
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
1 x 16 Go
Mémoire interne
16 Go
Latence CAS
30
On-Die ECC
Oui
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)

Poids et dimensions SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC

Poids
25 g
Hauteur
31,3 mm
Profondeur
5,2 mm
Largeur
133,4 mm

Informations sur l'emballage SILICON POWER DDR5 16Gox1 2Gx8 6000MHz C30 OC

Type d'emballage
Blister

Informations sur le vendeur

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Disponibilité Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible
Garantie
Données RSE  
Score hello RSE

Indice hello RSE 2.1/10

Indice hello RSE 2.1/10

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Labels produits - - - - - - - RoHS RoHS
Impact carbone (kg CO₂)
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
Détails  
Fréquence de la mémoire

6000 MHz

5600 MHz

2600 MHz

2800 MHz

2600 MHz

2800 MHz

3000 MHz

4800 MHz

5600 MHz

Mémoire interne

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