Samsung 870 EVO 1 To 2.5" Série ATA III V-NAND MLC MZ-77E1T0BW

Réf. MZ-77E1T0BW
Marque

Samsung

Samsung 870 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: 2.5", Vitesse de lecture: 560 Mo/s, Vitesse d'écriture: 530 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s, composant pour: PC

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Caractéristiques clés

Caractéristiques clés
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Interface Série ATA III
Facteur de forme SSD 2.5"
composant pour PC
Vitesse de lecture 560 Mo/s
Vitesse d'écriture 530 Mo/s
Type de mémoire V-NAND MLC
Classe TBW 2400
Lecture aléatoire (4KB) 98000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 88000 IOPS

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Description

Marque Samsung

Samsung 870 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: 2.5", Vitesse de lecture: 560 Mo/s, Vitesse d'écriture: 530 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s, composant pour: PC

Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Caractéristiques
Classe TBW 2400
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Type de contrôleur Samsung MKX
Écriture aléatoire (4KB) 88000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB) 98000 IOPS
Vitesse d'écriture 530 Mo/s
Vitesse de lecture 560 Mo/s
Taux de transfert des données 6 Gbit/s
composant pour PC
Type de mémoire V-NAND MLC
Interface Série ATA III
Facteur de forme SSD 2.5"
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES

Puissance

Puissance
Consommation électrique (idle) 0,03 W
Consommation d'énergie (moyenne) 2,2 W
Consommation (max) 3,5 W
Tension de fonctionnement 5 V

Poids et dimensions

Poids et dimensions
Poids 45 g
Hauteur 69,8 mm
Profondeur 6,8 mm
Largeur 100 mm

Conditions environnementales

Conditions environnementales
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Température d'opération 0 - 70 °C
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