Samsung MZ-V9S2T0BW SSD M.2 2 To PCIe 4.0 7250/6300 Mo/s

Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

(1 avis)
Réf. MZ-V9S2T0BW
Marque

Samsung

SSD NVMe PCIe 4.0 au format M.2 2280, 2 To pour PC, conçu pour accélérer OS et applications ainsi que les transferts lourds. Débits séquentiels jusqu’à 7 250/6 300 Mo/s et IOPS aléatoires jusqu’à 1 000 000/1 350 000 (lecture/écriture). V‑NAND TLC, TRIM et S.M.A.R.T., chiffrement matériel AES 256 bits/TCG Opal 2.0. Résistance aux chocs 1 500 G, DevSlp.

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Éco-indice hello RSE
2.1 /10

L'éco-indice hello RSE évalue globalement l'impact environnemental d'un produit sur son cycle de vie.

Il se base sur une comparaison des produits IT similaires du marché.

Des labels exigeants pour un impact maîtrisé
Impact carbone inconnu

Labels vérifiés par des organismes indépendants.

Un choix éclairé et plus durable

Avec un éco-indice de 2.1/10, ce produit se situe dans la moyenne du marché.

Votre choix contribue à réduire l'impact environnemental de votre parc IT tout en alliant performance et fiabilité.

Merci pour ce choix plus responsable.

Synthèse hello RSE

Pensé pour les déploiements en milieu professionnel, ce support de stockage s’intègre aux politiques IT orientées sécurité et maîtrise des coûts énergétiques. La combinaison d’outils de supervision et de chiffrement matériel simplifie les mises à niveau de parc, tout en offrant un cadre technique adapté à la continuité d’activité et à la standardisation des postes.

  • Format et interface : M.2 2280 (22 x 80 mm), épaisseur 2,38 mm et poids 9 g; interface PCI Express 4.0 et protocole NVMe 2.0, composant pour PC avec connexion directe sur slot M.2.
  • Capacité et mémoire : 2 To basés sur V‑NAND TLC, un compromis pertinent entre densité de stockage et endurance des cellules, adapté aussi bien à une utilisation quotidienne qu’à des applications exigeantes.
  • Fiabilité et robustesse : temps moyen entre pannes de 1 500 000 h, résistance aux chocs de 1 500 G et plage de fonctionnement de 0 à 70 °C pour répondre aux aléas de transport et d’intervention.
  • Sécurité des données : chiffrement matériel AES 256 bits avec prise en charge TCG Opal 2.0 pour mettre en œuvre des politiques de chiffrement du disque et limiter les accès non autorisés.
  • Gestion et maintenance : S.M.A.R.T., TRIM, Auto Garbage Collection et Device Sleep (DevSlp) aident à surveiller l’état, maintenir les performances dans le temps et prolonger la durée de vie du support.
  • Consommation et veille : 4,6 W en lecture, 4,2 W en écriture, 0,06 W au repos et 5 mW en DevSlp; alimentation 3,3 V pour maîtriser l’impact énergétique dans les environnements bureautiques.
  • Éco-indice hello RSE : 2.1/10.

Au quotidien, il constitue une base fiable pour moderniser un parc, sécuriser les données et rationaliser l’exploitation sans ajouter de complexité aux procédures IT.

Caractéristiques clés

Caractéristiques clés
Capacité du Solid State Drive (SSD) 2 To
Interface PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD M.2
NVMe Oui
composant pour PC
Vitesse de lecture 7250 Mo/s
Vitesse d'écriture 6300 Mo/s
Type de mémoire V-NAND TLC
Lecture aléatoire (4KB) 1000000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 1350000 IOPS

Questions et réponses sur le Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Le SSD Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe est-il compatible avec mon PC ?

Oui. Ce modèle est conçu pour PC et s’installe dans un emplacement M.2 au format 2280 (22 x 80 mm) prenant en charge PCIe 4.0 et le protocole NVMe (version 2.0). Assurez-vous que votre carte mère dispose bien d’un slot M.2 2280 compatible PCIe/NVMe.

Quelles performances puis-je attendre du MZ-V9S2T0BW en lecture/écriture sur PC ?

Il atteint jusqu’à 7 250 Mo/s en lecture séquentielle et 6 300 Mo/s en écriture séquentielle. En aléatoire (4K), jusqu’à 1 000 000 IOPS en lecture et 1 350 000 IOPS en écriture. Ces débits aident à réduire les temps de démarrage, accélérer le chargement des applications et les transferts de gros fichiers.

Ce SSD Samsung prend-il en charge le chiffrement pour protéger mes données sensibles ?

Oui. Il intègre le chiffrement matériel AES 256 bits et la norme TCG Opal 2.0 afin d’aider à protéger les données contre les accès non autorisés. L’activation du chiffrement peut nécessiter un système ou des outils compatibles.

Quelle fiabilité offre le modèle MZ-V9S2T0 pour une utilisation quotidienne et des applications exigeantes ?

Il affiche un MTBF de 1 500 000 h, une résistance aux chocs jusqu’à 1 500 G et une tolérance aux vibrations. Les fonctions TRIM, S.M.A.R.T., Auto Garbage Collection et Device Sleep (DevSlp) contribuent au maintien des performances sur la durée. Température de fonctionnement: 0 à 70 °C.

Avec Samsung Magician, puis-je migrer mes données vers le MZ-V9S2T0 2 To et optimiser ses performances ?

Oui. Le logiciel Samsung Magician propose des outils d’optimisation, de migration des données, de surveillance de l’état de santé du SSD et des mises à jour, pour une utilisation simple et des performances stables dans le temps.

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Description

Marque Samsung

Acheter 8806095575650 - Transfert de données efficace

Transfert de données efficace

Avec des débits de données internes atteignant 7250 MBps, les données peuvent être transférées rapidement, ce qui permet des temps de démarrage et des vitesses de chargement d'applications plus rapides.

Acheter 8806095575650 - Durabilité élevée

Durabilité élevée

Avec une résistance aux chocs allant jusqu'à 1 500 g et une tolérance aux vibrations, ce disque est suffisamment robuste pour résister aux contraintes physiques, ce qui garantit un fonctionnement fiable dans divers environnements.

Acheter 8806095575650 - Gestion avancée des performances

Gestion avancée des performances

Prend en charge les fonctions TRIM, Auto Garbage Collection et Device Sleep pour optimiser les performances et prolonger la durée de vie du disque, ce qui le rend adapté aussi bien à une utilisation quotidienne qu'à des applications exigeantes.

Acheter 8806095575650 - Fonctions de sécurité renforcées

Fonctions de sécurité renforcées

Équipé du cryptage matériel AES 256 bits et du cryptage TCG Opal 2.0, le disque offre des mesures de sécurité robustes pour protéger les données sensibles contre les accès non autorisés.


Une vitesse spectaculaire tous les joursExécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.Restez au frais même avec des performances fulgurantesUne puissance constante, des performances plus efficaces. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Atteignez le même niveau de puissance en consommant moins d'énergie et en évitant les ralentissements dus à la chaleur.Maxi stockage. Maxi vitesse.Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.Logiciel Samsung MagicianFaites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.Donner vie aux innovationsDepuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.PerformanceAugmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.Efficacité énergétiqueL'efficacité énergétique est améliorée de 73%, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.PolyvalenceJusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Caractéristiques
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Écriture aléatoire (4KB) 1350000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB) 1000000 IOPS
Vitesse d'écriture 6300 Mo/s
Vitesse de lecture 7250 Mo/s
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Le chiffrement matériel Oui
composant pour PC
Type de mémoire V-NAND TLC
NVMe Oui
Interface PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD) 2 To
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Version NVMe 2.0

Puissance

Puissance
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 5 mW
Consommation électrique (idle) 0,06 W
Consommation électrique moyenne (lecture) 4,6 W
Consommation électrique moyenne (écriture) 4,2 W
Consommation électrique (Ecriture) 4,2 W
Consommation électrique (Lecture) 4,6 W
Tension de fonctionnement 3,3 V

Poids et dimensions

Poids et dimensions
Poids 9 g
Hauteur 80,2 mm
Profondeur 2,38 mm
Largeur 80,2 mm

Informations sur l'emballage

Informations sur l'emballage
Poids du paquet 70 g
Hauteur du colis 24 mm
Profondeur du colis 102 mm
Largeur du colis 139 mm

Conditions environnementales

Conditions environnementales
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Température d'opération 0 - 70 °C
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