Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC MZ-V9S2T0BW

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Réf. MZ-V9S2T0BW
Marque Samsung
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Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

59.39€ moins cher que LDLC.pro
273,90€ HT
328,68€ TTC
Durée
13,15 € HT/mois
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Disponible
273,90€ HT 328,68€ TTC
Éco-indice 2.1/10
Garantie constructeur 1 an
Informations sur l'éco-indice

Empreinte carbone MZ-V9S2T0BW

N.C.

Garantie

1 an
Service client réactif Par chat, téléphone ou email
Paiement sécurisé En savoir plus
4.82/5 sur 247 avis Les avis de nos clients
Livré le 26/03 Conditions de livraison

Synthèse hello RSE

Découvrez le SSD 990 EVO Plus, un allié de choix pour des performances remarquables et une efficacité énergétique optimisée. Avec ses vitesses de lecture atteignant 7 250 Mo/s et une capacité allant jusqu'à 4 To, il est le compagnon idéal pour traiter des données massives et exécuter des tâches intensives en un rien de temps.

  • Vitesse exceptionnelle : Lecture séquentielle de 7 250 Mo/s, soit 45 % plus rapide que le modèle précédent.
  • Efficacité énergétique : 73 % de gain énergétique pour une performance constante sans surchauffe.
  • Capacité étendue : Jusqu'à 4 To avec la technologie Intelligent TurboWrite 2.0 pour gérer les grandes quantités de données.
  • Robustesse : Résistant aux chocs jusqu'à 1 500 g, idéal pour un usage en environnement varié.
  • Sécurité avancée : Chiffrement matériel AES 256 bits offrant une protection contre les accès non autorisés.
  • Éco-indice : 2.1/10 - La note est inférieure à 6/10, sans option d'extension de garantie gratuite.

Le SSD 990 EVO Plus est un choix puissant pour les utilisateurs exigeants, bien qu'il soit conseillé de considérer des options plus durables si vous êtes engagé dans une démarche d'achat responsable.

Conseils achat durable

Le produit Disque dur SSD Samsung, dont la référence est MZ-V9S2T0BW, a obtenu la note de 2.1/10.

Dans le détail :
  • Selon la version 23,1 de la Base Carbone de l’Ademe datant du 18/09/2023, l’empreinte carbone moyenne de ce produit est de kg. Nous travaillons activement avec Samsung pour vous fournir une donnée plus précise. En attendant une prochaine mise à jour, cette donnée peut malgré tout être prise en compte pour vos rapports extra-financiers.
  • Indépendamment de son empreinte carbone, ce produit dispose des labels ci-dessous :

La note de ce produit est inférieure à 6/10, vous ne pouvez donc pas bénéficier d’une extension gratuite de garantie. Si vous-même et/ou votre organisation êtes engagés dans une démarche d’achat responsable, nous vous invitons à regarder les produits dont la note est supérieure à 6. Vous trouverez également à la fin de la description marketing du produit, quelques suggestions de produits plus durables.

Description

Référence MZ-V9S2T0BW

|

Marque Samsung

Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Transfert de données efficace

Transfert de données efficace

Avec des débits de données internes atteignant 7250 MBps, les données peuvent être transférées rapidement, ce qui permet des temps de démarrage et des vitesses de chargement d'applications plus rapides.

Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Durabilité élevée

Durabilité élevée

Avec une résistance aux chocs allant jusqu'à 1 500 g et une tolérance aux vibrations, ce disque est suffisamment robuste pour résister aux contraintes physiques, ce qui garantit un fonctionnement fiable dans divers environnements.

Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Gestion avancée des performances

Gestion avancée des performances

Prend en charge les fonctions TRIM, Auto Garbage Collection et Device Sleep pour optimiser les performances et prolonger la durée de vie du disque, ce qui le rend adapté aussi bien à une utilisation quotidienne qu'à des applications exigeantes.

Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Fonctions de sécurité renforcées

Fonctions de sécurité renforcées

Équipé du cryptage matériel AES 256 bits et du cryptage TCG Opal 2.0, le disque offre des mesures de sécurité robustes pour protéger les données sensibles contre les accès non autorisés.


Une vitesse spectaculaire tous les joursExécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.Restez au frais même avec des performances fulgurantesUne puissance constante, des performances plus efficaces. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Atteignez le même niveau de puissance en consommant moins d'énergie et en évitant les ralentissements dus à la chaleur.Maxi stockage. Maxi vitesse.Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.Logiciel Samsung MagicianFaites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.Donner vie aux innovationsDepuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.PerformanceAugmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.Efficacité énergétiqueL'efficacité énergétique est améliorée de 73%, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.PolyvalenceJusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Temps moyen entre pannes
1500000 h
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Écriture aléatoire (4KB)
1350000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
1000000 IOPS
Vitesse d'écriture
6300 Mo/s
Vitesse de lecture
7250 Mo/s
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Le chiffrement matériel
Oui
composant pour
PC
Type de mémoire
V-NAND TLC
NVMe
Oui
Interface
PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD
M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Version NVMe
2.0

Puissance Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Consommation électrique DevSlp (mode veille)
5 mW
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Consommation électrique moyenne (lecture)
4,6 W
Consommation électrique moyenne (écriture)
4,2 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,2 W
Consommation électrique (Lecture)
4,6 W
Tension de fonctionnement
3,3 V

Poids et dimensions Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Poids
9 g
Hauteur
80,2 mm
Profondeur
2,38 mm
Largeur
80,2 mm

Conditions environnementales Samsung MZ-V9S2T0 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Choc durant le fonctionnement
1500 G
Température d'opération
0 - 70 °C

Avis clients

... par Hélène T.

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Informations sur le vendeur

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Disponibilité Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible
Garantie
Avis client
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Données RSE  
Score hello RSE

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Labels produits - - - - - - RoHS RoHS -
Impact carbone (kg CO₂)
N.C.
N.C.
N.C.
≈109kg
N.C.
N.C.
N.C.
≈109kg
≈109kg
Détails  
Capacité disque dur

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Capacité du Solid State Drive (SSD)

2 To

2 To

2 To

1 To

2 To

2 To

256 Go

2 To

240 Go

Interface

PCI Express 4.0

PCI Express 5.0

PCI Express 4.0

Série ATA III

PCI Express 3.0

PCI Express 4.0

Série ATA III

PCI Express 4.0

PCI Express 4.0

Facteur de forme SSD

M.2

M.2

M.2

2.5"

M.2

M.2

M.2

M.2

M.2

Vitesse de lecture

7250 Mo/s

14700 Mo/s

-

560 Mo/s

3300 Mo/s

7100 Mo/s

530 Mo/s

5150 Mo/s

4500 Mo/s

Vitesse d'écriture

6300 Mo/s

13400 Mo/s

-

530 Mo/s

2600 Mo/s

6700 Mo/s

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4850 Mo/s

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