Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC MZ-V9S1T0BW

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Réf. MZ-V9S1T0BW
Marque Samsung
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Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

78.53€ moins cher que PC21
165,90€ HT
199,08€ TTC
Durée
7,96 € HT/mois
conditions
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Quantité
9 en stock
165,90€ HT 199,08€ TTC
Éco-indice 2.1/10
Garantie constructeur 1 an
Informations sur l'éco-indice

Empreinte carbone MZ-V9S1T0BW

N.C.

Garantie

1 an
Service client réactif Par chat, téléphone ou email
Paiement sécurisé En savoir plus
4.75/5 sur 231 avis Les avis de nos clients
Livré le 05/03 Conditions de livraison

Synthèse hello RSE

Découvrez le SSD Samsung 990 EVO Plus, une solution de stockage ultra-rapide et économe en énergie, conçue pour exécuter vos tâches quotidiennes à des vitesses époustouflantes.

  • Vitesse de lecture / écriture : Jusqu'à 7 250 Mo/s en lecture et 6 300 Mo/s en écriture, offrant des transferts de fichiers instantanés.
  • Efficacité énergétique : 73 % plus économe en énergie par watt, permettant des performances optimales sans surchauffe.
  • Capacité étendue : Disponible jusqu'à 4 To avec Intelligent TurboWrite 2.0, idéal pour traiter des données massives.
  • Fiabilité : Résiste à des températures extrêmes de -40 °C à 85 °C, garantissant une performance constante.
  • Sécurité avancée : Chiffrement matériel AES 256 bits pour protéger vos données sensibles.
  • Éco-indice : 2.1/10 - Note insuffisante pour une extension de garantie gratuite ; envisagez des alternatives plus durables.

Le Samsung 990 EVO Plus est le choix parfait pour les utilisateurs exigeants recherchant performance et fiabilité, tout en tenant compte de leur empreinte écologique.

Conseils achat durable

Le produit Disque dur SSD Samsung, dont la référence est MZ-V9S1T0BW, a obtenu la note de 2.1/10.

Dans le détail :
  • Selon la version 23,1 de la Base Carbone de l’Ademe datant du 18/09/2023, l’empreinte carbone moyenne de ce produit est de kg. Nous travaillons activement avec Samsung pour vous fournir une donnée plus précise. En attendant une prochaine mise à jour, cette donnée peut malgré tout être prise en compte pour vos rapports extra-financiers.
  • Indépendamment de son empreinte carbone, ce produit dispose des labels ci-dessous :

La note de ce produit est inférieure à 6/10, vous ne pouvez donc pas bénéficier d’une extension gratuite de garantie. Si vous-même et/ou votre organisation êtes engagés dans une démarche d’achat responsable, nous vous invitons à regarder les produits dont la note est supérieure à 6. Vous trouverez également à la fin de la description marketing du produit, quelques suggestions de produits plus durables.

Description

Référence MZ-V9S1T0BW

|

Marque Samsung

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Performances à grande vitesse

Performances à grande vitesse

Avec un débit de données interne de 7150 MBps et des vitesses d'écriture allant jusqu'à 6300 MBps, le Samsung 990 EVO Plus offre des capacités de lecture et d'écriture rapides, essentielles pour les utilisateurs intensifs et les joueurs.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Durabilité robuste

Durabilité robuste

Conçu pour fonctionner dans des environnements difficiles, ce disque SSD peut résister à des températures allant de -40°C à 85°C, garantissant ainsi sa fiabilité dans diverses conditions.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Sécurité avancée

Sécurité avancée

Le disque est doté d'un cryptage matériel AES 256 bits, assurant la sécurité des données grâce à TCG Opal Encryption 2.0, ce qui permet aux utilisateurs de conserver leurs informations sensibles en toute sérénité.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Consommation d'énergie efficace

Consommation d'énergie efficace

Fonctionnant à des niveaux de consommation faibles, notamment 5 mW en mode lecture et 4,2 watts en mode veille, ce disque est efficace, contribuant ainsi aux économies d'énergie globales.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 Samsung - visuel 1 - hello RSE - Caractéristiques technologiques améliorées

Caractéristiques technologiques améliorées

Équipé de la technologie TurboWrite intelligente et de la mémoire tampon hôte (HMB), ce disque SSD offre des performances plus rapides et une efficacité accrue pour toutes les applications.


Une vitesse spectaculaire tous les joursExécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.Restez au frais même avec des performances fulgurantesUne puissance constante, des performances plus efficaces. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Atteignez le même niveau de puissance en consommant moins d'énergie et en évitant les ralentissements dus à la chaleur.Maxi stockage. Maxi vitesse.Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.Logiciel Samsung MagicianFaites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.Donner vie aux innovationsDepuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.PerformanceAugmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.Efficacité énergétiqueL'efficacité énergétique est améliorée de 73%, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.PolyvalenceJusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Questions et réponses sur le Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Temps moyen entre pannes
1500000 h
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Écriture aléatoire (4KB)
1350000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
850000 IOPS
Vitesse d'écriture
6300 Mo/s
Vitesse de lecture
7150 Mo/s
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Le chiffrement matériel
Oui
composant pour
PC
Type de mémoire
V-NAND TLC
NVMe
Oui
Interface
PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD
M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Version NVMe
2.0

Puissance Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Consommation électrique DevSlp (mode veille)
5 mW
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Consommation électrique moyenne (lecture)
4,3 W
Consommation électrique moyenne (écriture)
4,2 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,2 W
Consommation électrique (Lecture)
4,3 W
Tension de fonctionnement
3,3 V

Poids et dimensions Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Poids
9 g
Hauteur
80,2 mm
Profondeur
2,38 mm
Largeur
80,2 mm

Conditions environnementales Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Choc durant le fonctionnement
1500 G
Température d'opération
0 - 70 °C

Avis clients

... par Hugues B.

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Informations sur le vendeur

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Disponibilité Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible Disponible
Garantie
Avis client
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Données RSE  
Score hello RSE

Éco-indice 2.1/10

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Labels produits - - - - RoHS - RoHS - RoHS REACH
Impact carbone (kg CO₂)
N.C.
N.C.
N.C.
≈109kg
≈109kg
N.C.
≈109kg
N.C.
N.C.
Détails  
Capacité du Solid State Drive (SSD)

1 To

1 To

1 To

1 To

500 Go

1 To

1 To

1 To

1 To

Interface

PCI Express 4.0

PCI Express 5.0

PCI Express 5.0

PCI Express 4.0

PCI Express 4.0

PCI Express 4.0

PCI Express 3.1

PCI Express 3.0

PCI Express 4.0

Facteur de forme SSD

M.2

M.2

M.2

M.2

M.2

M.2

M.2

M.2

M.2

Vitesse de lecture

7150 Mo/s

14700 Mo/s

14700 Mo/s

7450 Mo/s

5000 Mo/s

7000 Mo/s

3450 Mo/s

3300 Mo/s

5100 Mo/s

Vitesse d'écriture

6300 Mo/s

13300 Mo/s

13300 Mo/s

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