Samsung MZ-V9S1T0BW SSD M.2 NVMe 2.0 1 To PCIe 4.0 7150/6300

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

(1 avis)
Réf. MZ-V9S1T0BW
Marque

Samsung

SSD M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 de 1 To pour PC, destiné à accélérer postes de travail et applications lourdes. Débits séquentiels jusqu’à 7 150 Mo/s en lecture et 6 300 Mo/s en écriture, 850k/1,35M IOPS, mémoire V‑NAND TLC. Chiffrement matériel AES 256 bits. Consommation maîtrisée: 4,3 W lecture, 4,2 W écriture, 5 mW veille. MTBF 1,5 M h et prise en charge S.M.A.R.T./TRIM.

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Bénéficiez d'un rapport d'impact à chaque achat
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Avec un éco-indice de 2.1/10, ce produit se situe dans la moyenne du marché.

Votre choix contribue à réduire l'impact environnemental de votre parc IT tout en alliant performance et fiabilité.

Merci pour ce choix plus responsable.

Synthèse hello RSE

Pensé pour des déploiements en entreprise, ce SSD NVMe M.2 accompagne les postes qui manipulent de gros fichiers, exécutent des traitements locaux et nécessitent une réponse constante du stockage. Son format interne et ses caractéristiques techniques facilitent l’intégration dans des configurations compatibles et la gestion opérationnelle au quotidien, en mise à niveau comme sur des machines neuves, avec en prime le chiffrement matériel AES 256 bits pour la protection des données en local.

  • Format et intégration : facteur de forme M.2 2280 (22 x 80 mm), poids 9 g, pour une installation directe sur la carte mère, adaptée aux emplacements M.2 internes.
  • Protocole : NVMe 2.0 sur interface PCI Express 4.0 (composant pour PC), permettant l’utilisation du standard M.2 dans les environnements actuels.
  • Fiabilité et suivi : temps moyen entre pannes de 1 500 000 h, avec prise en charge S.M.A.R.T. et TRIM pour le monitoring et l’entretien logiciel au fil du temps.
  • Conditions d’exploitation : plage de fonctionnement de 0 à 70 °C et résistance aux chocs de 1500 G en activité, dans les limites de robustesse spécifiées.
  • Énergie : tension d’alimentation 3,3 V et consommation au repos d’environ 0,06 W, avec DevSlp (veille du dispositif).
  • Éco-indice hello RSE : 2.1/10.

Dans un parc professionnel, il facilite la standardisation des configurations M.2 et le suivi des performances dans le temps grâce aux spécifications NVMe et aux fonctions de diagnostic S.M.A.R.T./TRIM.

Caractéristiques clés

Caractéristiques clés
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Interface PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD M.2
NVMe Oui
composant pour PC
Vitesse de lecture 7150 Mo/s
Vitesse d'écriture 6300 Mo/s
Type de mémoire V-NAND TLC
Lecture aléatoire (4KB) 850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 1350000 IOPS

Questions et réponses sur le Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Le SSD Samsung MZ‑V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe convient‑il à mon PC ?

Oui, s’il dispose d’un emplacement M.2 (2280) compatible NVMe en PCIe 4.0. Ce modèle est au format M.2 2280 (22 x 80 mm), utilise le protocole NVMe 2.0 et est destiné aux PC.

Quelles performances propose le Samsung MZ‑V9S1T0BW en lecture/écriture ?

Lecture séquentielle : 7 150 Mo/s. Écriture séquentielle : 6 300 Mo/s. Lecture aléatoire (4K) : 850 000 IOPS. Écriture aléatoire (4K) : 1 350 000 IOPS. La mémoire V‑NAND TLC, Intelligent TurboWrite 2.0 et la mémoire tampon hôte (HMB) contribuent à ces performances.

Ce SSD Samsung 1 To est‑il adapté à un usage PC orienté gaming et applications exigeantes ?

Oui. Ses débits NVMe PCIe 4.0 (lecture 7 150 Mo/s, écriture 6 300 Mo/s) et ses IOPS élevés conviennent aux utilisateurs intensifs et aux joueurs. Les technologies Intelligent TurboWrite 2.0 et HMB optimisent les charges de travail.

La référence MZ‑V9S1T0BW de Samsung propose‑t‑elle un chiffrement matériel pour sécuriser mes données ?

Oui. Elle prend en charge le chiffrement matériel AES 256 bits et TCG Opal Encryption 2.0 pour protéger les informations sensibles.

Pour un usage quotidien, comment se comporte le Samsung MZ‑V9S1T0 en fiabilité, température et consommation ?

Temps moyen entre pannes de 1 500 000 h, résistance aux chocs en fonctionnement 1 500 G et température d’opération de 0 à 70 °C. Consommation typique : lecture 4,3 W, écriture 4,2 W, repos 0,06 W et mode DevSlp 5 mW. Son contrôleur en nickel et son efficacité énergétique améliorée aident à maintenir des performances stables.

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Samsung Portable SSD T7. Capacité du Solid State Drive (SSD): 500 Go. Connecteur USB: USB Type-C, Version USB: 3.2 Gen 2 (3.1 Gen 2). Vitesse de lecture: 1050 Mo/s, Vitesse d'écriture: 1000 Mo/s.

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SSD externe 1 To pour transferts rapides et travail direct sur fichiers lourds. Interface USB-C 3.2 Gen 2 et NVMe avec débits séquentiels jusqu’à 1050/1000 Mo/s. Boîtier en caoutchouc certifié IP65,

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Description

Marque Samsung

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC avantages - Performances à grande vitesse

Performances à grande vitesse

Avec un débit de données interne de 7150 MBps et des vitesses d'écriture allant jusqu'à 6300 MBps, le Samsung 990 EVO Plus offre des capacités de lecture et d'écriture rapides, essentielles pour les utilisateurs intensifs et les joueurs.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC avantages - Durabilité robuste

Durabilité robuste

Conçu pour fonctionner dans des environnements difficiles, ce disque SSD peut résister à des températures allant de -40°C à 85°C, garantissant ainsi sa fiabilité dans diverses conditions.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC avantages - Sécurité avancée

Sécurité avancée

Le disque est doté d'un cryptage matériel AES 256 bits, assurant la sécurité des données grâce à TCG Opal Encryption 2.0, ce qui permet aux utilisateurs de conserver leurs informations sensibles en toute sérénité.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC avantages - Consommation d'énergie efficace

Consommation d'énergie efficace

Fonctionnant à des niveaux de consommation faibles, notamment 5 mW en mode lecture et 4,2 watts en mode veille, ce disque est efficace, contribuant ainsi aux économies d'énergie globales.

Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC avantages - Caractéristiques technologiques améliorées

Caractéristiques technologiques améliorées

Équipé de la technologie TurboWrite intelligente et de la mémoire tampon hôte (HMB), ce disque SSD offre des performances plus rapides et une efficacité accrue pour toutes les applications.

Une vitesse spectaculaire tous les joursExécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.Restez au frais même avec des performances fulgurantesUne puissance constante, des performances plus efficaces. Avec le contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus est 73 % plus économe en énergie par watt. Atteignez le même niveau de puissance en consommant moins d'énergie et en évitant les ralentissements dus à la chaleur.Maxi stockage. Maxi vitesse.Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.Logiciel Samsung MagicianFaites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.Donner vie aux innovationsDepuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.PerformanceAugmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.Efficacité énergétiqueL'efficacité énergétique est améliorée de 73%, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.PolyvalenceJusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.

Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Caractéristiques
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Écriture aléatoire (4KB) 1350000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB) 850000 IOPS
Vitesse d'écriture 6300 Mo/s
Vitesse de lecture 7150 Mo/s
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Le chiffrement matériel Oui
composant pour PC
Type de mémoire V-NAND TLC
NVMe Oui
Interface PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Version NVMe 2.0

Puissance

Puissance
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 5 mW
Consommation électrique (idle) 0,06 W
Consommation électrique moyenne (lecture) 4,3 W
Consommation électrique moyenne (écriture) 4,2 W
Consommation électrique (Ecriture) 4,2 W
Consommation électrique (Lecture) 4,3 W
Tension de fonctionnement 3,3 V

Poids et dimensions

Poids et dimensions
Poids 9 g
Hauteur 80,2 mm
Profondeur 2,38 mm
Largeur 80,2 mm

Informations sur l'emballage

Informations sur l'emballage
Poids du paquet 68 g
Hauteur du colis 24 mm
Profondeur du colis 100 mm
Largeur du colis 145 mm

Conditions environnementales

Conditions environnementales
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Température d'opération 0 - 70 °C
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