SSD Interne Samsung 990 NVMe™ PCIe® 4.0 1To MZ-V9V1T0BW

Réf. MZ-V9V1T0BW
Marque

Samsung

Samsung SSD Interne 990 NVMe™ PCIe® 4.0 1To. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7150 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6450 Mo/s, composant pour: PC

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Caractéristiques clés

Caractéristiques clés
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Interface PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD M.2
NVMe Oui
composant pour PC
Vitesse de lecture 7150 Mo/s
Vitesse d'écriture 6450 Mo/s
Type de mémoire V-NAND
Lecture aléatoire (4KB) 700000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB) 1100000 IOPS

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Description

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Caractéristiques
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Révision CEM PCI Express 4.0
Flux de données d'interface PCI Express x4
Écriture aléatoire (4KB) 1100000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB) 700000 IOPS
Vitesse d'écriture 6450 Mo/s
Vitesse de lecture 7150 Mo/s
Taille du SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Le chiffrement matériel Oui
composant pour PC
Type de mémoire V-NAND
NVMe Oui
Interface PCI Express 4.0
Facteur de forme SSD M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES, TCG Opal 2.0
Version NVMe 2.0

Puissance

Puissance
Consommation électrique DevSlp (mode veille) 3 mW
Consommation électrique (idle) 0,055 W
Consommation électrique (Ecriture) 3,7 W
Consommation électrique (Lecture) 4 W
Tension de fonctionnement 3,3 V

Poids et dimensions

Poids et dimensions
Hauteur 22,1 mm
Profondeur 2,38 mm
Largeur 80,2 mm

Informations sur l'emballage

Informations sur l'emballage
Type d'emballage Boîte

Conditions environnementales

Conditions environnementales
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Température d'opération 0 - 70 °C
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